参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPD25CN10N G
说明	功率MOSFET   6.5mm DPAK(TO-252)
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5287 [库存更新时间：2025-04-21]
通道数量	1Channel
Qg-栅极电荷	31nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	71W
高度	2.3mm
长度	6.5mm
系列	OptiMOS2
宽度	6.22mm
正向跨导 - 最小值	19S
下降时间	3ns
上升时间	4ns
典型关闭延迟时间	13ns
典型接通延迟时间	10ns
Moisture Level	1 Ohms
Rds On(Max)@Id,Vgs	25mΩ
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	35A
封装/外壳	DPAK (TO-252)
Rth	2.1K/W
QG	23.0nC
Budgetary Price €€/1k	0.37
Ptot max	71.0W
FET类型	N-Channel
Mounting	SMT
Coss	232.0pF
Ciss	1560.0pF
栅极电压Vgs	2V,4V
工作温度	-55°C~175°C